| Název: | alpha-GeTe and (GeMn)Te Semiconductors: a New Paradigm for Spintronics |
| Další názvy: | α-GeTe a (GeMn) Te polovodiče: nová paradigma pro spintroniku |
| Autoři: | Krempaský, j. Springholz, Gunther Minár, Jan Dil, Jan Hugo |
| Citace zdrojového dokumentu: | KREMPASKÝ, j., SPRINGHOLZ, G., MINÁR, J., DIL, J.H. alpha-GeTe and (GeMn)Te Semiconductors: a New Paradigm for Spintronics. In APCOM 2018. Strbske Pleso: American Institute of Physics Inc., 2018. s. 2-11. ISBN 978-0-7354-1712-0 , ISSN 0094-243X. |
| Datum vydání: | 2018 |
| Nakladatel: | American Institute of Physics Inc. |
| Typ dokumentu: | konferenční příspěvek conferenceObject |
| URI: | 2-s2.0-85051846863 http://hdl.handle.net/11025/30852 |
| ISBN: | 978-0-7354-1712-0 |
| ISSN: | 0094-243X |
| Klíčová slova: | ARPES, KKR, spintronika |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | ARPES, KKR, Spintronics |
| Abstrakt: | GeTe je nejjednodušší známý binární feroelektrický polovodič s úzkým pásmem. Nižší než 700 K předpokládá nesentrosymmetrickou rohomedickou strukturu, ve které je vytvořen elektrický dipól vzhledem k relativní Ge / Te podtlakový posun ve směru [111]. Feroelektrická polarizace je výsledkem asymetrických poloh Ge a Te atomů v tomto směru a zajišťuje, že systém má dobře definovanou osu pro rozdělení symetrie, což vede k obří rozebírání rozebíratelné struktury pásma Rashby. Zpráva o prvotřídních výpočtech naznačuje, že velké rozměry mřížky zodpovědné za feroelektrické uspořádání jsou také nejvýznamnější složkou pro obra Rashba-spin-dělení. Zkontrolujeme experimentální ověření tohoto obřího rozštěpení typu Rashba a zobrazíme hlavní výsledky (GeMn) Te jsou nové paralelní multiferoické polovodiče s magnetoelektickými vlastnostmi, nabízející široké možnosti pro navrhování spintronických materiálů. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | GeTe is the simplest known binary ferroelectric semiconductor with a narrow band gap. Below 700 K it assumes a non-centrosymmetric rhombohedral structure in which an electric dipole is formed due to a relative Ge/Te sublattice displacement along the [111] direction. Ferroelectric polarization results from asymmetric positions of Ge and Te atoms along that direction and ensures that the system possess a well-defined axis for symmetry breaking, resulting in a giant Rashba-type spin splitting of the bulk band structure. We report on first-principle calculations which indicate that the large lattice distortion responsible for the ferroelectric order is also the most significant ingredient for the giant Rashba-type spin-splitting. We review the experimental verification of this giant Rashba-type splitting and show the main results proving that (GeMn)Te is a new paradigm multiferroic semiconductor with magnetoelectic properties, offering broad opportunities for spintronics materials design. |
| Práva: | Plný text není přístupný. © American Institute of Physics Inc. |
| Vyskytuje se v kolekcích: | OpenAire Konferenční příspěvky / Conference Papers (CTM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| KMSD18_APCOM_GeTe_krempask2018.pdf | 1,86 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/30852Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.