Full metadata record
DC poleHodnotaJazyk
dc.contributor.authorAssali, Abdenacer
dc.contributor.authorBouslama, M'hamed
dc.contributor.authorAl-Jaary, Ali H. Reshak
dc.contributor.authorChaabane, Loubna
dc.date.accessioned2018-02-21T11:35:28Z-
dc.date.available2018-02-21T11:35:28Z-
dc.date.issued2017
dc.identifier.citationASSALI, A., BOUSLAMA, M., AL-JAARY, A. H. R., CHAABANE, L. Highly desirable semiconducting materials for mid-IR optoelectronics: Dilute bismide InAs1_xBix alloys. Materials research bulletin, 2017, roč. 95, č. Nov 2017, s. 588-596. ISSN 0025-5408.en
dc.identifier.issn0025-5408
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/29307
dc.description.abstractV rámci hustoty funkční teorie (DFT) jsme provedli samostatnou konzistentní plnohodnotnou linearizovanou metodu rozšířené roviny (FP-LAPW) pro zkoumání strukturálních, elektronických a optických vlastností zředěných bismidových slitin InAs1_xBix (0 _ x _ 0,125) pro mid-IR optoelektronika aplikacecs
dc.format9 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoenen
dc.publisherElsevieren
dc.rightsPlný text není přístupný.cs
dc.rights© Elsevieren
dc.subjectSlitina bismidu InAs1_xBixcs
dc.subjectstřední-IR optoelektronikacs
dc.subjectMetoda FP-LAPW (TB-mBJ)cs
dc.subjectOptoelektronické charakteristikycs
dc.titleVysoce žádoucí polovodičové materiály pro polovodičovou optoelektroniku: zředěné bismidové slitiny InAs1_xBixcs
dc.titleHighly desirable semiconducting materials for mid-IR optoelectronics: Dilute bismide InAs1_xBix alloysen
dc.typečlánekcs
dc.typearticleen
dc.rights.accessclosedAccessen
dc.type.versionpublishedVersionen
dc.description.abstract-translatedWe have performed a self-consistent full-potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method within density functional theory (DFT) to investigate the structural, electronic and optical properties of the dilute bismide InAs1_xBix alloys (0 _ x _ 0.125) for mid-IR optoelectronics applicationen
dc.subject.translatedInAs1_xBix bismide alloyen
dc.subject.translatedmid-IR optoelectronicsen
dc.subject.translatedFP-LAPW (TB-mBJ) methoden
dc.subject.translatedOptoelectronic characteristicsen
dc.identifier.doi10.1016/j.materresbull.2017.06.011
dc.type.statusPeer-revieweden
dc.identifier.obd43921045
dc.project.IDED2.1.00/03.0088/CENTEM - Centrum nových technologií a materiálůcs
dc.project.IDLO1402/CENTEM+cs
Vyskytuje se v kolekcích:Články / Articles (CTM)
OBD

Soubory připojené k záznamu:
Soubor VelikostFormát 
Ali-InAsBi-MRB-17.pdf3,84 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít  Vyžádat kopii
Zobrazit minimální záznam Zobrazit statistiky


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/29307

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání
navigace
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD