| Název: | Účinky stlačeného materiálu na termoelektrické vlastnosti Cu3SbSe4 Effects of compressed strain on thermoelectric properties of Cu3SbSe4 |
| Autoři: | Irfan, Muhammad Abbas, Zeesham Khan, Saleem Ayaz Sohail, Mohammad Rani, Malika Azam, Sikander A. Kityk, Iwan V. |
| Datum vydání: | 2018 |
| Nakladatel: | Elsevier |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | 2-s2.0-85045182777 http://hdl.handle.net/11025/29849 |
| ISSN: | 0925-8388 |
| Klíčová slova: | Stlačený materiál;Elektronická struktura;Výpočty termoelektrických vlastností DFT |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | Compressed strain;Electronic structure;Thermoelectric properties DFT calculations |
| Abstrakt: | Nedávný zvýšený zájem o Cu3SbSe4 kvůli bohatému potenciálu pro rozsáhlé termoelektrické aplikace. Chcete-li získat úplné předpovědi jeho termoelektrických vlastností a údajů o transportu náboje, je důležité mít k dispozici základní údaje o struktuře pásma. V současné práci jsme provedli komplexní vyšetřování vlastností elektrického transportu Cu3SbSe4 pomocí výpočtů výpočtu struktury DFT v kombinaci s Boltzmannovou dopravní teorií. Nově 0, 2, 4 a 6% kmenového Cu3SbSe4 materiálu v rámci DFT hustota funkční teorie). Nejprve jsou diskutovány vlastnosti elektronické struktury sypkého materiálu (LAO) a pak jsou popsány účinky různých stupňů napětí na elektronické a termoelektrické vlastnosti. Provedli jsme úplný postup relaxace atomové struktury a zjistili jsme, že odchylka je o méně než 1 - 5% z experimentálních dat. Disperze struktury pásma a hustota stavů (celkem a částečně) jsou prezentovány. Byly diskutovány termoelektrické vlastnosti (jako je Seebeckův koeficient, elektrická vodivost, tepelná vodivost, výkonový faktor (PF) a teplota. Nejvyšší dosažený faktor účinnosti byl rovný asi 6,5 až 7,0 x 1011 W / mK2 při 850 K. Tento výsledek naznačuje, že dopování p-typu může zvýšit termoelektrické vlastnosti 0, 2, 4 a 6% kmenových materiálů Cu3SbSe4 při vysoké teplotě rozsah. Naše výsledky dokládají přiměřené dohody s předchozími výsledky a předpovídají velký potenciál pro zvýšení termoelektrického výkonu Cu3SbSe4. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | Recently Cu3SbSe4 have attracted enhanced an interest due to abundant potential for extensive thermoelectric applications. To get a complete prediction of its thermoelectric performance and charge transport details it is important to have fundamental data concerning band structure. In the present work we have conducted comprehensive investigations of the electrical transport properties of Cu3SbSe4 using first-principles DFT band structure calculations combined with the Boltzmann transport theory.The novel 0, 2, 4 and 6% strain Cu3SbSe4 material within the frame of DFT (density functional theory) approach have been explored. First of all the electronic structure properties of the bulk material (LAO) are discussed and then the effects of different degree of strain on the electronic and thermoelectric properties are discussed.We have carried out full relaxation procedure of the atomic structure and found that a deviation by less than 1-5% from experimental data. The band structure dispersion and densityof states (total and partial) are presented. The thermoelectric properties (like Seebeck coefficient, electrical conductivity, thermal conductivity, power factor (PF) and Figure of Merit (ZT) have been discussed) versus temperature. The highest power factor obtained was equal to about 6.5~7.0×1011 W/mK2s at 850 K. This result suggests that p-type doping can enhance the thermoelectric properties of 0, 2, 4 and 6% strain Cu3SbSe4 materials in the high temperature range. Our results demonstrates a reasonable agreements with the previous results and predict the great potential for enhancement of the thermoelectric performance of Cu3SbSe4. |
| Práva: | Plný text není přístupný. © Elsevier |
| Vyskytuje se v kolekcích: | OpenAire Články / Articles (CTM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| KHAN_Cu3SbSe4.pdf | 1,77 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/29849Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.