Název: | Raman spectroscopy used to assess the temperature and mechanical stress in thin films of microelectronic structures |
Autoři: | Kadlečíková, M. Vančo, Ĺ Breza, J. Priesol, J. Šatka, A. |
Citace zdrojového dokumentu: | Electroscope. 2018, č. 1. |
Datum vydání: | 2018 |
Nakladatel: | Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická |
Typ dokumentu: | článek article |
URI: | http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2018/Cislo1_2018/r12c1c15.pdf http://hdl.handle.net/11025/31008 |
ISSN: | 1802-4564 |
Klíčová slova: | Ramanova spektroskopie;mikroelektronické struktury;tenké vrstvy;zkoušení materiálu |
Klíčová slova v dalším jazyce: | Raman spectroscopy;microelectronic structures;thin films;material testing |
Abstrakt v dalším jazyce: | In this experimental work we examined the temperature and mechanical stress in the thin films of microelectronic structures based on GaN and AlN by Raman spectroscopy. The rise in temperature in the Raman spectrum is shown by shifting the Raman bands toward lower wavenumbers. Similarly like with changes of temperature, the changes of the positions of Raman bands may indicate the changes of mechanical stress in the structure. It was confirmed experimentally that in the case of tensile stress the Raman bands are shifted towards lower wavenumbers, and under compressive stress to higher wavenumbers. |
Práva: | Copyright © 2018 Electroscope. All Rights Reserved. |
Vyskytuje se v kolekcích: | Číslo 1 (2018) Číslo 1 (2018) |
Soubory připojené k záznamu:
Soubor | Popis | Velikost | Formát | |
---|---|---|---|---|
r12c1c15.pdf | Plný text | 328,29 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/31010
Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.