| Název: | Fabrication and Characterization of a p-AgO/PSi/n-Si Heterojunction for Solar Cell Applications |
| Další názvy: | Výroba a charakteristika p-AgO/PSi/n-Si heterizace pro aplikaci u solárních článků |
| Autoři: | Habubi, Nadir F. Abd, Ahmed N. Dawood, Mohammed O. Al-Jaary, Ali H. Reshak |
| Citace zdrojového dokumentu: | HABUBI, N. F., ABD, A. N., DAWOOD, M. O., AL-JAARY, A. H. R. Fabrication and Characterization of a p-AgO/PSi/n-Si Heterojunction for Solar Cell Applications. Silicon, 2018, roč. 10, č. 2, s. 371-376. ISSN 1876-990X. |
| Datum vydání: | 2018 |
| Nakladatel: | Springer |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | 2-s2.0-84988383404 http://hdl.handle.net/11025/31120 |
| ISSN: | 1876-990X |
| Klíčová slova: | AgO;tepelná oxidace;Lifetime;Hetero Diode;XRD;AFM;SEM |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | AgO;Thermal oxidation;Lifetime;Heterodiode;XRD;AFM;SEM |
| Abstrakt: | P-AgO / psi / n-Si heterojunction byl vyroben pomocí vysokého vakua tepelným odpařováním stříbra a podrobením tepelné oxidaci při 300 ◦C porézního křemíku. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | A p-AgO/PSi/n-Si heterojunction was deposited by high vacuum thermal evaporation of silver subjected to thermal oxidation at 300 ◦C on porous silicon. |
| Práva: | Plný text není přístupný. © Springer |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Články / Articles (CTM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| Ali-p-Ago-Silicon-16.pdf | 1,31 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/31120Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.