| Název: | Doping induced effect on optical and band structure properties of Sr2Si5N8 based phosphors: DFT approach |
| Další názvy: | Doping vyvolané vliv na optické a kapela struktura vlastnosti Sr2Si5N8 na základě luminofory: DFT přístup |
| Autoři: | Azam, Sikander A. Irfan, Muhammad Khan, Saleem Ayaz Ali,, Zaheer Kityk, Iwan V. Muhammad, Shabbir Al-Sehemi, Abdullah Ghodran M. |
| Citace zdrojového dokumentu: | AZAM, S. A., IRFAN, M., KHAN, S. A., ALI,, Z., KITYK, I. V., MUHAMMAD, S., AL-SEHEMI, A. G. M. Doping induced effect on optical and band structure properties of Sr2Si5N8 based phosphors: DFT approach. JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, roč. 771, č. JAN 15 2019, s. 1072-1079. ISSN 0925-8388. |
| Datum vydání: | 2018 |
| Nakladatel: | Elsevier |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | 2-s2.0-85053077724 http://hdl.handle.net/11025/31156 |
| ISSN: | 0925-8388 |
| Klíčová slova: | Nitrido křemičitan luminofory;Doping technika;Optické vlastnosti;DFT |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | Nitrido silicate phosphors;Doping technique;Optical properties;DFT |
| Abstrakt: | Nitrido Silikáty se objevil jako vysoce efektivní luminiscenční materiály (luminofory), které našel značné průmyslové aplikace jako bílé světlo emitující diody (LED) byly zkoumány s ohledem na pásové struktury a související elektronické struktury parametry. Mají laditelné optické vlastnosti, jako kapela propast je nepostradatelný, protože zjistí, že elektrické a optické vlastnosti materiálu, který může měnit podle složení materiálu (dopingem technika). Je také konstatovat, že široké průmyslové aplikace jako vysoce efektivní vyzařující červené luminofory materiály křemičitany nitridu (hliníková) "Sr2Si5N8: Eu2+" v pc LED. V této zprávě, že uplatňujeme v rámci GGA+U přístupu ke studiu strukturální teorie hustotního funkcionálu (DFT) dopoval elektronických a optických vlastností Eu2+ a Ce3+ Sr2Si5N8. Celková energie byla optimalizována vztažené na jednotku objemu buňky. Elektronová struktura včetně, elektronické hustota státu (DOS), pásové struktury a lineární optické citlivosti jsou vypočteny pro uvolněné struktura použití optimalizované příhradové konstanta. Vypočtené optický rozptyl napěťová citlivost jsou úzce souvisí s odpovídající elektronické struktury a naše výsledky jsou velmi dobré shody s experimentálními daty. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | Nitrido silicates are emerged as highly efficient luminescent materials (phosphors) that found considerable industrial application as white light emitting diodes (LEDs) have been studied with respect to band structure and related electronic structure parameters. They have tunable optical properties, as the band gap is of indispensable because it determines both the electrical and optical features of the material, which can be varied by the material composition (by doping technique). It is found also that the nitride (alumo) silicates “Sr2Si5N8: Eu2+” have wide industrial application as highly efficient red-emitting phosphor materials in pc-LEDs. In this report we apply density functional theory (DFT) within the GGA+U approach to study the structural, electronic and optical properties of Eu2+ and Ce3+ doped Sr2Si5N8. The total energy has been optimized as a function of the unit cell volume. Electronic structure including, the electronic density of state (DOS), the band structure and the linear optical susceptibility are calculated for the relaxed structure applying the optimized lattice constant. The calculated optical dispersion of dielectric susceptibility are closely related to the corresponding electronic structure and our results are in very good agreement with experimental data. |
| Práva: | Plný text není přístupný. © Elsevier |
| Vyskytuje se v kolekcích: | OpenAire Postprinty / Postprints (CTM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| Khan_Sr2Si5N8-4.pdf | 2,92 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/31156Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.