Full metadata record
DC poleHodnotaJazyk
dc.contributor.authorBeshajová Pelikánová, I.
dc.contributor.authorVaněk, P.
dc.contributor.editorPihera, Josef
dc.contributor.editorSteiner, František
dc.date.accessioned2020-02-25T10:03:29Z
dc.date.available2020-02-25T10:03:29Z
dc.date.issued2019
dc.identifier.citationElectroscope. 2019, č. 2.cs
dc.identifier.issn1802-4564
dc.identifier.urihttp://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2019/Cislo2_2019/r13c2c1.pdf
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/36531
dc.description.abstractPráce se zabývá tematikou dielektrických vrstev vytvořených tenkovrstvými technologiemi. Sada tenkovrstvých kondenzátorů byla připravena pomocí metody naprašování a vakuového napařování. Dielektrická vrstva byla nanášena při různých podmínkách naprašovacího procesu. Dielektická vrstva Al2O3 byla naprašována na skleněnou podložku. Měřenými parametry byly elektrická kapacita a tloušťka vrstvy. Tloušťka byla určena pomocí zařízení vyžívajícího hrotovou metodu. Vyhodnocovala se závislost elektrické kapacity a tloušťky tenkovrstvého kondenzátoru v závislosti na podmínkách procesu naprašování – výkon plasmy a čas depozice.cs
dc.format3 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoenen
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnickács
dc.rightsCopyright © 2019 Electroscope. All Rights Reserved.en
dc.subjectdielektrické vrstvycs
dc.subjecttenkovrstvé technologiecs
dc.subjectelektrická kapacitacs
dc.subjecttloušťka vrstvycs
dc.subjecthrotová metodacs
dc.subjectproces naprašovánícs
dc.titleThe Nonconductive Sputtered Thin Film Layeren
dc.typečlánekcs
dc.typearticleen
dc.rights.accessopenAccessen
dc.type.versionpublishedVersionen
dc.description.abstract-translatedThe work is focused on topic of dielectrics layers prepared by thin film layer technology, specifically by sputtering. Set of samples of thin film capacitors was prepared. Samples differ by different conditions of preparation of dielectric layer. Dielectric layers were deposited by sputtering of Al2O3 on glass substrate. The measured parameters were the electrical capacity and thickness of the dielectric layer. Thickness was obtained with help of device using the stylus method. The main evaluated parameters are the capacity and thickness of thin film capacitors in dependence on the deposition process conditions – plasma power and deposition time.en
dc.subject.translateddielectrics layersen
dc.subject.translatedthin film layer technologyen
dc.subject.translatedelectrical capacityen
dc.subject.translatedthickness of the dielectric layeren
dc.subject.translatedstylus methoden
dc.subject.translateddeposition processen
dc.type.statusPeer-revieweden
Vyskytuje se v kolekcích:Číslo 2 (2019)
Číslo 2 (2019)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
Beshajová Pelikánová.pdfPlný text227,69 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
Zobrazit minimální záznam Zobrazit statistiky


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/36531

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání
navigace
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikace ZČU / UWB Publications
  3. Časopisy ZČU / UWB Journals
  4. Electroscope
  5. Ročník 2019
  6. Číslo 2 (2019)