Title: Graphene growth by chemical vapor deposition process on copper foil
Authors: Macháč, P.
Bláhová, V.
Citation: Electroscope. 2016, č. 3.
Issue Date: 2016
Publisher: Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická
Document type: článek
article
URI: http://hdl.handle.net/11025/22031
ISSN: 1802-4564
Keywords: grafen;chemická depozice;graphene;chemical deposition
Abstract: Příspěvek popisuje přípravu a charakterizaci grafenových filmů připravených metodou chemické depozice z plynného prostředí. Je použit reaktor se studeným pláštěm, jako zdroj uhlíku je použit metan. Grafen je vytvořen na měděné fólii při teplotě cca 1000°C. Druhým krokem přípravy je přenos grafenu na dielektrický substrát s využitím polymethylmethakrylátu. Nejlepší připravené grafenové filmy vykazují tloušťku v rozmezí jedné až dvou uhlíkových nanovrstev.
Rights: Copyright © 2015 Electroscope. All Rights Reserved.
Appears in Collections:Číslo 3 (2016) - IMAPS flash Conference 2016
Číslo 3 (2016) - IMAPS flash Conference 2016

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Machac.pdfPlný text512,79 kBAdobe PDFView/Open


Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/22031

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.