Title: Studium vnějších vlastností ZnO:Al narostlého technikou SILAR
Study of the extrinsic properties of ZnO:Al grown by SILAR technique
Authors: Offiah, Solomon U.
Agbo, Solomon N.
Šutta, Pavol
Mâaza, Malik
Ugwuoke, Paulinus E.
Osuji, Rose U.
Ezema, Fabian I.
Citation: OFFIAH, S. U., AGBO, S. N., ŠUTTA, P., MÂAZA, M., UGWUOKE, P. E., OSUJI, R. U., EZEMA, F. I. Study of the extrinsic properties of ZnO:Al grown by SILAR technique. Journal of solid state electrochemistry, 2017, roč. 21, č. 9, s. 2621-2628. ISSN 1432-8488.
Issue Date: 2017
Publisher: Springer
Document type: článek
article
URI: http://hdl.handle.net/11025/29254
ISSN: 1432-8488
Keywords: Tenké vrstvy;ZnO;dopanty;SILAR;nano-struktury
Keywords in different language: Thin films;ZnO;dopants;SILAR;nano-structures;SILAR = Successive Ionic Layer Adsorption
Abstract: Hliníkem dopované tenké vrstvy ZnO s křemeni-podobnou strukturou byly úspěšně deponovány na skelné substráty postupnou iontově adsorpční reaktivní metodou. Byl zkoumán vliv procentního složení hliníkových dopantů na nanostrukturu „květinám-podobných“ klastrů ZnO, morfologii a jejich optické vlastnosti. Tenké vrstvy ZnO, které krystalizují v hexagonální wurtzitové struktuře o velikosti krystalitů 44, 51, 56 a 43 nm pro intrinsickou vrstvu a vrstvy s 1, 3 a 5-ti procentním dotováním hliníkem. Přednostní orientace krystalitů je ve všech případech ve směru [001] kolmém na podložku. Ramanova spektroskopie odhalila pokles intenzity charakteristické spektrální čáry ZnO v důsledku substituce iontů Zn2+ atomy Al3+ a předpokládané potenciálové fluktuace slitinové neuspořádanosti. Zavedením Al3+ dopantů se významně zvýšila optická šířka zakázaného pásma ZnO.
Abstract in different language: Aluminum-doped ZnO thin films with pebble-like structures have been successfully deposited on glass substrates by successive ionic layer adsorption reaction method. The effect of percentage composition of the aluminum dopants on the flower-like clusters of the ZnO nanostructures on the structure, morphology, and optical properties was investigated. The ZnO thin films which were crystallized in hexagonal wurtzite structures with crystallite sizes of 44, 51, 56, and 43 nm for the intrinsic and 1, 3, and 5% Al-doped ZnO thin films, respectively. Preferred orientation of crystallites is in all cases in [001] direction perpendicular to the sample surface. The Raman spectroscopy revealed decrease in the intensity of the ZnO characteristic peak due to the substitution of the Zn2+ atoms by the Al3+ and attributed to potential fluctuations of the alloy disorder. The introduction of the Al3+ dopants significantly increased the optical band gap.
Rights: Plný text není přístupný.
© Springer Verlag
Appears in Collections:Články / Articles (CTM)
OBD

Files in This Item:
File SizeFormat 
SUTTA_Study of the extrinsic.pdf1,19 MBAdobe PDFView/Open    Request a copy


Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/29254

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

search
navigation
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD