| Název: | Vysoce žádoucí polovodičové materiály pro polovodičovou optoelektroniku: zředěné bismidové slitiny InAs1_xBix Highly desirable semiconducting materials for mid-IR optoelectronics: Dilute bismide InAs1_xBix alloys |
| Autoři: | Assali, Abdenacer Bouslama, M'hamed Al-Jaary, Ali H. Reshak Chaabane, Loubna |
| Citace zdrojového dokumentu: | ASSALI, A., BOUSLAMA, M., AL-JAARY, A. H. R., CHAABANE, L. Highly desirable semiconducting materials for mid-IR optoelectronics: Dilute bismide InAs1_xBix alloys. Materials research bulletin, 2017, roč. 95, č. Nov 2017, s. 588-596. ISSN 0025-5408. |
| Datum vydání: | 2017 |
| Nakladatel: | Elsevier |
| Typ dokumentu: | článek article |
| URI: | http://hdl.handle.net/11025/29307 |
| ISSN: | 0025-5408 |
| Klíčová slova: | Slitina bismidu InAs1_xBix;střední-IR optoelektronika;Metoda FP-LAPW (TB-mBJ);Optoelektronické charakteristiky |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | InAs1_xBix bismide alloy;mid-IR optoelectronics;FP-LAPW (TB-mBJ) method;Optoelectronic characteristics |
| Abstrakt: | V rámci hustoty funkční teorie (DFT) jsme provedli samostatnou konzistentní plnohodnotnou linearizovanou metodu rozšířené roviny (FP-LAPW) pro zkoumání strukturálních, elektronických a optických vlastností zředěných bismidových slitin InAs1_xBix (0 _ x _ 0,125) pro mid-IR optoelektronika aplikace |
| Abstrakt v dalším jazyce: | We have performed a self-consistent full-potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) method within density functional theory (DFT) to investigate the structural, electronic and optical properties of the dilute bismide InAs1_xBix alloys (0 _ x _ 0.125) for mid-IR optoelectronics application |
| Práva: | Plný text není přístupný. © Elsevier |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Články / Articles (CTM) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|
| Ali-InAsBi-MRB-17.pdf | 3,84 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/29307Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.