Full metadata record
DC poleHodnotaJazyk
dc.contributor.authorNovák, Petr
dc.contributor.authorKozák, Tomáš
dc.contributor.authorŠutta, Pavol
dc.contributor.authorKolega, Michal
dc.contributor.authorBláhová, Olga
dc.date.accessioned2018-09-21T10:00:13Z-
dc.date.available2018-09-21T10:00:13Z-
dc.date.issued2018
dc.identifier.citationNOVÁK, P., KOZÁK, T., ŠUTTA, P., KOLEGA, M., BLÁHOVÁ, O. Influence of oxygen on the resistivity of co-sputtered transparent AZO films. Physica status solidi a-applications and materials science, 2018, roč. 215, č. 13. ISSN 1862-6300en
dc.identifier.issn1862-6300
dc.identifier.uri2-s2.0-85043353704
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/29953
dc.description.abstractV této práci se je využit naprašování z keramických a kovových terčů ke snížení obsahu kyslíku v oxidu zinečnatém dopovaného hliníkem. Vrstvy o tloušťce 200 až 220 nm se rozprašují při teplotě 100 a 250 ° C a zkoumají rentgenovou difrakcí, energetickou disperzní spektroskopií a Hallovým měřením. Bylo zjištěno, že snížení kyslíku ve vrstvě vede k vyšší koncentraci nosiče náboje, zejména díky lepší účinnější aktivaci Al atomů jako donorů. Vyšší teploty vedou k lepší mobilitě nosičů kvůli zlepšení krystalinitu. Je dosaženo nejnižší rezistivity 1,4 × 10-3 Ω cm vysoce transparentní vrstvy připraveného při 100 °C. Větší redukce kyslíku vede k dalšímu snížení rezistivity, ale také k významnému zhoršení optické propustnosti.cs
dc.format5 s.cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isoenen
dc.publisherWileyen
dc.rightsPlný text není přístupný.cs
dc.rights© Wileyen
dc.subjectHliníkem dopovaný oxid zinečnatý, naprašování, aktivace donorů, rezistivitacs
dc.titleInfluence of oxygen on the resistivity of co-sputtered transparent AZO filmsen
dc.title.alternativeVliv kyslíku na rezistivitu naprašovaných transparentních AZO vrstevcs
dc.typepostprintcs
dc.typečlánekcs
dc.typepostprinten
dc.typearticleen
dc.rights.accessclosedAccessen
dc.type.versionacceptedVersionen
dc.type.versionpublishedVersionen
dc.description.abstract-translatedIn the present work co-sputtering from ceramic and metallic targets is used to reduce the oxygen content in aluminium doped zinc oxide. Films with thickness between 200 and 220 nm are sputtered at 100 and 250 °C and investigated by X-ray diffraction, energy dispersive spectroscopy, and Hall measurements. It is found that reducing of the incorporated oxygen in the film leads to higher carrier concentration, mainly due to better effective activation of Al donors. Higher temperatures result in better carrier mobility due to improving the crystallinity. The best resistivity of 1.4 × 10−3 Ω cm of the highly transparent film prepared at 100 °C is achieved. A larger oxygen reduction leads to lower resistivity, but also results in the significant deterioration of transmittances.en
dc.subject.translatedaluminium doped zinc oxide, co-sputtering, donor activation, resistivityen
dc.identifier.doi10.1002/pssa.201700951
dc.type.statusPeer-revieweden
dc.identifier.document-number438358000013
dc.identifier.obd43922600
dc.project.IDED2.1.00/03.0088/CENTEM - Centrum nových technologií a materiálůcs
dc.project.IDLO1402/CENTEM+cs
dc.project.IDLO1506/PUNTIS - Podpora udržitelnosti centra NTIS - Nové technologie pro informační společnostcs
Vyskytuje se v kolekcích:Články / Articles (CT4)
OBD

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
Novak_manuscript revised preprint.pdf1,41 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít  Vyžádat kopii
Novak_et al._2018_Influence of Oxygen on the Resistivity of Co-Sputtered Transparent AZO Films.pdf2,62 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít  Vyžádat kopii
Zobrazit minimální záznam Zobrazit statistiky


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/29953

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání
navigace
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD