| Title: | Influence of oxygen on the resistivity of co-sputtered transparent AZO films |
| Other Titles: | Vliv kyslíku na rezistivitu naprašovaných transparentních AZO vrstev |
| Authors: | Novák, Petr Kozák, Tomáš Šutta, Pavol Kolega, Michal Bláhová, Olga |
| Citation: | NOVÁK, P., KOZÁK, T., ŠUTTA, P., KOLEGA, M., BLÁHOVÁ, O. Influence of oxygen on the resistivity of co-sputtered transparent AZO films. Physica status solidi a-applications and materials science, 2018, roč. 215, č. 13. ISSN 1862-6300 |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Wiley |
| Document type: | postprint článek postprint article |
| URI: | 2-s2.0-85043353704 http://hdl.handle.net/11025/29953 |
| ISSN: | 1862-6300 |
| Keywords: | Hliníkem dopovaný oxid zinečnatý, naprašování, aktivace donorů, rezistivita |
| Keywords in different language: | aluminium doped zinc oxide, co-sputtering, donor activation, resistivity |
| Abstract: | V této práci se je využit naprašování z keramických a kovových terčů ke snížení obsahu kyslíku v oxidu zinečnatém dopovaného hliníkem. Vrstvy o tloušťce 200 až 220 nm se rozprašují při teplotě 100 a 250 ° C a zkoumají rentgenovou difrakcí, energetickou disperzní spektroskopií a Hallovým měřením. Bylo zjištěno, že snížení kyslíku ve vrstvě vede k vyšší koncentraci nosiče náboje, zejména díky lepší účinnější aktivaci Al atomů jako donorů. Vyšší teploty vedou k lepší mobilitě nosičů kvůli zlepšení krystalinitu. Je dosaženo nejnižší rezistivity 1,4 × 10-3 Ω cm vysoce transparentní vrstvy připraveného při 100 °C. Větší redukce kyslíku vede k dalšímu snížení rezistivity, ale také k významnému zhoršení optické propustnosti. |
| Abstract in different language: | In the present work co-sputtering from ceramic and metallic targets is used to reduce the oxygen content in aluminium doped zinc oxide. Films with thickness between 200 and 220 nm are sputtered at 100 and 250 °C and investigated by X-ray diffraction, energy dispersive spectroscopy, and Hall measurements. It is found that reducing of the incorporated oxygen in the film leads to higher carrier concentration, mainly due to better effective activation of Al donors. Higher temperatures result in better carrier mobility due to improving the crystallinity. The best resistivity of 1.4 × 10−3 Ω cm of the highly transparent film prepared at 100 °C is achieved. A larger oxygen reduction leads to lower resistivity, but also results in the significant deterioration of transmittances. |
| Rights: | Plný text není přístupný. © Wiley |
| Appears in Collections: | Články / Articles (CT4) OBD |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Novak_manuscript revised preprint.pdf | 1,41 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy | |
| Novak_et al._2018_Influence of Oxygen on the Resistivity of Co-Sputtered Transparent AZO Films.pdf | 2,62 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/11025/29953Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.