Název: Element-and momentum-resolved electronic structure of the dilute magnetic semiconductor manganese doped gallium arsenide
Další názvy: Element a hybnost rozlišená elektronická struktura zředěného magnetického polovodiče: manganem dopovaného gallium arsenidu
Autoři: Nemšák, Slavomír
Gehlmann, Mathias
Kuo, Cheng Tai
Lin, Shih Chieh
Schlueter, Christoph
Młyńczak, Ewa
Lee, Tienlin
Pluciński, Łukasz
Ebert, Hubert
Di Marco, Igor
Minár, Jan
Schneider, Claus Michael
Fadley, Charles S.
Citace zdrojového dokumentu: NEMŠÁK, S., GEHLMANN, M., KUO, C. T., LIN, S. C., SCHLUETER, C., MŁYŃCZAK, E., LEE, T., PLUCIŃSKI, Ł., EBERT, H., DI MARCO, I., MINÁR, J., SCHNEIDER, C. M., FADLEY, C. S. Element-and momentum-resolved electronic structure of the dilute magnetic semiconductor manganese doped gallium arsenide. Nature Communications, 2018, roč. 9, č. AUG 17 2018, s. [1-6]. ISSN 2041-1723.
Datum vydání: 2018
Nakladatel: Nature Research
Typ dokumentu: článek
article
URI: 2-s2.0-85051749754
http://hdl.handle.net/11025/30744
ISSN: 2041-1723
Klíčová slova: ARPES, XSW, KKR, DMS
Klíčová slova v dalším jazyce: ARPES, XSW, KKR, DMS
Abstrakt: Zředěné magnetické polovodiče slibují v aplikacích založených na spinových elektronických zařízeních na jejich potenciál pro feromagnetický pořádek při pokojové teplotě a různé unikátní přepínání a spin-závislé vodivosti. Nicméně přesný mechanismus, kterým dopování z přechodného kovu způsobuje, že ferromagnetismus je kontroverzní. Tady máme studoval zředěný magnetický polovodič (5% manganem dopovaný gallium arsenid) s Braggův reflexní stojatý vlnový paprsek s pevným rentgenovým paprskem se spektrální rozlišovací schopností a vyřešila svou elektronickou strukturu na součásti, které byly vyřešeny prvkem a momentem. The měřené intenzity valenčního pásma byly promítány do prvků vyřešených prvkem pomocí analogových energetických skenů Ga 3d, Mn 2p a As 3D úrovní jádra, s vynikajícími výsledky dohodu s elementy-projektované Bloch spektrální funkce a objasnění elektronické struktury tohoto prototypového materiálu. Tato technika by měla být široce použitelná pro jiné vícevrstvých materiálů.
Abstrakt v dalším jazyce: The dilute magnetic semiconductors have promise in spin-based electronics applications due to their potential for ferromagnetic order at room temperature, and various unique switching and spin-dependent conductivity properties. However, the precise mechanism by which the transition-metal doping produces ferromagnetism has been controversial. Here we have studied a dilute magnetic semiconductor (5% manganese-doped gallium arsenide) with Bragg-reflection standing-wave hard X-ray angle-resolved photoemission spectroscopy, and resolved its electronic structure into element- and momentum- resolved components. The measured valence band intensities have been projected into element-resolved components using analogous energy scans of Ga 3d, Mn 2 p, and As 3d core levels, with results in excellent agreement with element-projected Bloch spectral functions and clarification of the electronic structure of this prototypical material. This technique should be broadly applicable to other multi-element materials.
Práva: © Nature Research
Vyskytuje se v kolekcích:OpenAire
Články / Articles (CTM)
OBD

Soubory připojené k záznamu:
Soubor VelikostFormát 
NGK+18_GaMnAs_nemsak_NatCom.pdf1,76 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/30744

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.

hledání
navigace
  1. DSpace at University of West Bohemia
  2. Publikační činnost / Publications
  3. OBD