| Název: | Current limiting driver for GaN half-bridge |
| Autoři: | Skarolek, Pavel Lettl, Jiří |
| Citace zdrojového dokumentu: | 2017 International Conference on Applied Electronics: Pilsen, 5th – 6th September 2017, Czech Republic, p.227-230. |
| Datum vydání: | 2017 |
| Nakladatel: | Západočeská univerzita v Plzni |
| Typ dokumentu: | konferenční příspěvek conferenceObject |
| URI: | http://hdl.handle.net/11025/35442 |
| ISBN: | 978–80–261–0641–8 (Print) 978–80–261–0642–5 (Online) |
| ISSN: | 1803–7232 (Print) 1805–9597 (Online) |
| Klíčová slova: | GaN MOSFET;poloviční most;řidič;aktuální ochrana |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | GaN MOSFET;half-bridge;driver;current protection |
| Abstrakt v dalším jazyce: | This paper presents a GaN transistor half-bridge prototype with robust pulse by pulse current limiting drivers designed to turn off safely the transistor for the rest of the PWM period when the drain current exceeds the set value. The half-bridge is intended as the key part of a DC/AC converter output stage with operating frequency up to 1 MHz. The current limiting circuit is designed to meet the requirements for safe operation of GaN transistors. The proposed current limiting driver is five times faster compared to common integrated drivers with included current limiting circuit. |
| Práva: | © Západočeská univerzita v Plzni |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Applied Electronics 2017 Applied Electronics 2017 |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Popis | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|---|
| Skarolek.pdf | Plný text | 838,81 kB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/35442Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.