Title: ESD MOSFET model calibration by differential evolutionary optimization algorithm
Authors: Nápravník, Tomáš
Jakovenko, Jiří
Citation: Electroscope. 2012, č. 6, EDS 2012.
Issue Date: 2012
Publisher: Západočeská univerzita v Plzni, Fakulta elektrotechnická
Document type: konferenční příspěvek
conferenceObject
URI: http://hdl.handle.net/11025/1043
http://147.228.94.30/images/PDF/Rocnik2012/Cislo6_2012/r6c6c2.pdf
ISSN: 1802-4564
Keywords: difereciální evoluční algoritmus;kalibrace modelu
Keywords in different language: differential evolutionary optimization algorithm;model calibration
Abstract: Článek prezentuje možnost využití difereciálního evolučního algoritmu ke kalibraci modelu ESD prvku na naměřená data bez nutnosti manuálního ladění parametrů tohoto modelu. Standardní přístup manuálního ladění modelu je ve srovnání s představenou metodou časově náročnější a vyžaduje dedikovaného specialistu. Zde představený přístup nebyl dle znalosti autorů dosud použit. Na úvod je vysvětlen princip funkce ESD NMOST ochrany a jejich vlastností, na což navazuje krátký popis diferenčního evolučního optimalizačního algoritmu. Na závěr jsou uvedeny výsledky kalibrace technologicky optimalizovaného makro-modelu NMOS tranzistoru na empirické, po částech lineární V-A characteristiky.
Abstract in different language: The aim of this paper is to present the utilization of modern optimization algorithm called Differential Evolution to automatically fit the measured data from test chip to the appropriate electrostatic discharge (ESD) model without the need of manual model-parameters tuning. In contrast with proposed method the traditional approach can be very time and resource consuming. To the best knowledge of the authors, this novel approach has never been previously used. Short introduction to ESD NMOST function and properties are presented along with basic overview of differential evolutionary optimization algorithm. Results of fitting the technology-optimized macro-model of NMOST to the simple piece-wise linear model of MOSFET snapback I-V characteristic will be presented.
Rights: © 2012 Electroscope. All rights reserved.
Appears in Collections:Číslo 6 - EDS 2012 (2012)
Číslo 6 - EDS 2012 (2012)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
r6c6c2.pdf1,43 MBAdobe PDFView/Open


Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11025/1043

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.