Full metadata record
DC poleHodnotaJazyk
dc.contributor.advisorFořt, Jiří
dc.contributor.authorKubeš, Jiří
dc.contributor.refereePittermann, Martin
dc.date.accepted2012-06-28
dc.date.accessioned2013-06-19T06:50:27Z
dc.date.available2011-10-17cs
dc.date.available2013-06-19T06:50:27Z
dc.date.issued2012
dc.date.submitted2012-06-07
dc.identifier47149
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/2777
dc.description.abstractPředkládaná bakalářská práce je zaměřena na přehled výkonových polovodičových součástek. Součástky jsou řazeny dle složitosti struktury, od nejmenšího počtu PN přechodů ( diody) až po nejsložitější struktury (triak). Vše je chronologicky uspořádáno. U každé součástky, používané ve výkonové elektronice, jsou napsány údaje od historie, struktury, parametrů až po použití. Pro názornější ukázky jsou použity obrázky, díky kterým je vše jasnější a srozumitelnější. Nechybí také grafy a charakteristiky. Dosahované parametry, tj. proudy, napětí apod. jsou přebrány z katalogů předních výrobců daných součástek. Vše je utříděno pro snazší orientaci a vyhledávání potřebných informací.cs
dc.format47 s. (63 742 znaků)cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isocscs
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plznics
dc.relation.isreferencedbyhttps://portal.zcu.cz/StagPortletsJSR168/CleanUrl?urlid=prohlizeni-prace-detail&praceIdno=47149-
dc.rightsPlný text práce je přístupný bez omezení.cs
dc.subjectdiodacs
dc.subjecttranzistorcs
dc.subjectIGFETcs
dc.subjectMOSFETcs
dc.subjectIGBTcs
dc.subjectTyristorcs
dc.subjectRCTcs
dc.subjectGTOcs
dc.subjectIGCTcs
dc.subjectTriakcs
dc.titlePřehled výkonových polovodičových součástekcs
dc.title.alternativeSummary of power semiconductor componentsen
dc.typebakalářská prácecs
dc.thesis.degree-nameBc.cs
dc.thesis.degree-levelBakalářskýcs
dc.thesis.degree-grantorZápadočeská univerzita v Plzni. Fakulta elektrotechnickács
dc.description.departmentKatedra elektromechaniky a výkonové elektronikycs
dc.thesis.degree-programAplikovaná elektrotechnikacs
dc.description.resultObhájenocs
dc.rights.accessopenAccessen
dc.description.abstract-translatedThe present thesis is focused on an overview of power semiconductor devices. The components are sorted by the complexity of the structure, from the smallest number of PN junction (diode) to the most complex structure of (triac). Everything is arranged chronologically. For each component, used in power electronics, data are written from the history, structure, parametersto use. For illustrative examples are used pictures that makeeverything clear and understandable. There also graphs and characteristics. The achieved parameters, ie current, voltage, etc. are taken from the catalogs of the leading manufacturers ofcomponents. Everything is easier orientation for sorting and searching for information needed.en
dc.subject.translateddiodeen
dc.subject.translatedtransistoren
dc.subject.translatedIGFETen
dc.subject.translatedMOSFETen
dc.subject.translatedIGBTen
dc.subject.translatedThyristoren
dc.subject.translatedRCTen
dc.subject.translatedGTOen
dc.subject.translatedIGCTen
dc.subject.translatedTriacen
Vyskytuje se v kolekcích:Bakalářské práce / Bachelor´s works (KEV)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
Bakalarska prace 2012 Jiri Kubes E09B0080P.pdfPlný text práce1,16 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít
047149_vedouci.pdfPosudek vedoucího práce316,63 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
047149_oponent.pdfPosudek oponenta práce554,18 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
047149_hodnoceni.pdfPrůběh obhajoby práce151,66 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/2777

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.