| Název: | Influence of oxygen on the resistivity of co-sputtered transparent AZO films |
| Další názvy: | Vliv kyslíku na rezistivitu naprašovaných transparentních AZO vrstev |
| Autoři: | Novák, Petr Kozák, Tomáš Šutta, Pavol Kolega, Michal Bláhová, Olga |
| Citace zdrojového dokumentu: | NOVÁK, P., KOZÁK, T., ŠUTTA, P., KOLEGA, M., BLÁHOVÁ, O. Influence of oxygen on the resistivity of co-sputtered transparent AZO films. Physica status solidi a-applications and materials science, 2018, roč. 215, č. 13. ISSN 1862-6300 |
| Datum vydání: | 2018 |
| Nakladatel: | Wiley |
| Typ dokumentu: | postprint článek postprint article |
| URI: | 2-s2.0-85043353704 http://hdl.handle.net/11025/29953 |
| ISSN: | 1862-6300 |
| Klíčová slova: | Hliníkem dopovaný oxid zinečnatý, naprašování, aktivace donorů, rezistivita |
| Klíčová slova v dalším jazyce: | aluminium doped zinc oxide, co-sputtering, donor activation, resistivity |
| Abstrakt: | V této práci se je využit naprašování z keramických a kovových terčů ke snížení obsahu kyslíku v oxidu zinečnatém dopovaného hliníkem. Vrstvy o tloušťce 200 až 220 nm se rozprašují při teplotě 100 a 250 ° C a zkoumají rentgenovou difrakcí, energetickou disperzní spektroskopií a Hallovým měřením. Bylo zjištěno, že snížení kyslíku ve vrstvě vede k vyšší koncentraci nosiče náboje, zejména díky lepší účinnější aktivaci Al atomů jako donorů. Vyšší teploty vedou k lepší mobilitě nosičů kvůli zlepšení krystalinitu. Je dosaženo nejnižší rezistivity 1,4 × 10-3 Ω cm vysoce transparentní vrstvy připraveného při 100 °C. Větší redukce kyslíku vede k dalšímu snížení rezistivity, ale také k významnému zhoršení optické propustnosti. |
| Abstrakt v dalším jazyce: | In the present work co-sputtering from ceramic and metallic targets is used to reduce the oxygen content in aluminium doped zinc oxide. Films with thickness between 200 and 220 nm are sputtered at 100 and 250 °C and investigated by X-ray diffraction, energy dispersive spectroscopy, and Hall measurements. It is found that reducing of the incorporated oxygen in the film leads to higher carrier concentration, mainly due to better effective activation of Al donors. Higher temperatures result in better carrier mobility due to improving the crystallinity. The best resistivity of 1.4 × 10−3 Ω cm of the highly transparent film prepared at 100 °C is achieved. A larger oxygen reduction leads to lower resistivity, but also results in the significant deterioration of transmittances. |
| Práva: | Plný text není přístupný. © Wiley |
| Vyskytuje se v kolekcích: | Články / Articles (CT4) OBD |
Soubory připojené k záznamu:
| Soubor | Popis | Velikost | Formát | |
|---|---|---|---|---|
| Novak_manuscript revised preprint.pdf | 1,41 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii | |
| Novak_et al._2018_Influence of Oxygen on the Resistivity of Co-Sputtered Transparent AZO Films.pdf | 2,62 MB | Adobe PDF | Zobrazit/otevřít Vyžádat kopii |
Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam:
http://hdl.handle.net/11025/29953Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.