Název: Předpověď struktury vrstev ZnO vytvářených atom po atomu pomocí klasické molekulární dynamiky
Autoři: Hantová, Kamila
Vedoucí práce/školitel: Houška Jiří, Doc. Ing. Ph.D.
Oponent: Kos Šimon, Doc. Mgr. Ph.D.
Datum vydání: 2019
Nakladatel: Západočeská univerzita v Plzni
Typ dokumentu: bakalářská práce
URI: http://hdl.handle.net/11025/37536
Klíčová slova: zinek;kyslík;zno;wurtzite;amorfní substrát;krystalický substrát;tenká vrstva
Klíčová slova v dalším jazyce: zinc;oxygen;zno;wurtzite;amorphous substrate;crystalline substrate;thin film
Abstrakt: Tato práce se věnuje modelování tenké vrstvy ZnO pomocí klasické molekulární dynamiky. Interakce mezi atomy je popsána pomocí metody empirického potenci- álu. Simulace probíhala za využití software LAMMPS. Na krystalický nebo amorfní substrát ZnO přilétaly jednotlivé atomy zinku a kyslíku. Byly sledovány vlastnosti vzniklých tenkých vrstev v závislosti na energii přilétajících atomů. Ukázalo se, že tento parametr má vliv především na homogenitu vzniklé vrstvy. Při vyšších energiích roste homogenita vrstvy, ale také roste počet defektů způsobených prora- žením rychlých atomů do vrstvy a substrátu. Struktura a růst tenkých vrstev se liší i v závislosti na typu substrátu.
Abstrakt v dalším jazyce: This work deals with the modeling of ZnO thin film using classical molecular dy- namics. Interaction between atoms is described by the method of empirical poten- tial. The simulation was done using LAMMPS software. Individual zinc and oxygen atoms arrived on the ZnO crystalline or amorphous substrate. The properties of the resulting thin films were observed in dependence on the energy of the incoming atoms. This parameter has an impact on the homogeneity of the resulting layers. At higher energies, the homogeneity of the layer increases, but also the number of defects caused by puncture of fast atoms into the layer and substrate increa- ses. The structure and growth of the thin layers varies depending on the type of substrate.
Práva: Plný text práce je přístupný bez omezení.
Vyskytuje se v kolekcích:Bakalářské práce / Bachelor´s works (KFY)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
BP_Hantova_final.pdfPlný text práce9,43 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít
Hantova_vedouciBP.pdfPosudek vedoucího práce429,76 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
Hantova_oponentBP.pdfPosudek oponenta práce1,56 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít
Hantova_obhajoba.pdfPrůběh obhajoby práce173,57 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/37536

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.