Full metadata record
DC poleHodnotaJazyk
dc.contributor.advisorŠevčík Jakub, Ing.
dc.contributor.authorHalvoník, Tomáš
dc.contributor.refereeVotava Martin, Ing.
dc.date.accepted2020-7-23
dc.date.accessioned2020-11-10T00:38:31Z-
dc.date.available2019-10-4
dc.date.available2020-11-10T00:38:31Z-
dc.date.issued2020
dc.date.submitted2020-6-19
dc.identifier82240
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11025/41735
dc.description.abstractPředkládaná bakalářská práce je zaměřena na vytvoření tepelných modelů výkonových polovodičových modulů pomocí Fosterovy a Cauerovy sítě složené z RC článků. Výsledky simulací jsou porovnávána a hodnocena naměřenými hodnotami teploty čipu IGBT, získané pomocí měření tepelně závislých parametrů polovodiče a teploty base plate (základní desky) získané pomocí termistoru. Výsledkem práce je získat model, který bude věrohodně reprezentovat nárůst teploty uvnitř struktury modulu, jak v rychlých přechodových dějích, tak při dlouhých pracovních cyklechcs
dc.format55 s. (75900 znaků)cs
dc.format.mimetypeapplication/pdf
dc.language.isocscs
dc.publisherZápadočeská univerzita v Plznics
dc.rightsPlný text práce je přístupný bez omezení.cs
dc.subjectvýkonová polovodičová součástka (vps)cs
dc.subjectigbtcs
dc.subjectvýkonový polovodičový modulcs
dc.subjectpropustné ztrátycs
dc.subjectspínací ztrátycs
dc.subjecttepelná vodivostcs
dc.subjecttepelný odporcs
dc.subjecttepelná kapacitacs
dc.subjectmetoda konečných diferencícs
dc.subjectmetoda konečných elementůcs
dc.subjectcauercs
dc.subjectfostercs
dc.subjecttepelný modelcs
dc.subjecttepelně závislé parametrycs
dc.titleTepelné modely výkonových polovodičových modulůcs
dc.title.alternativeThermal models for power semiconductor modulesen
dc.typebakalářská prácecs
dc.thesis.degree-nameBc.cs
dc.thesis.degree-levelBakalářskýcs
dc.thesis.degree-grantorZápadočeská univerzita v Plzni. Fakulta elektrotechnickács
dc.thesis.degree-programElektrotechnika a informatikacs
dc.description.resultObhájenocs
dc.rights.accessopenAccessen
dc.description.abstract-translatedFollowing bachelor work is focused on creating thermal model of semiconductor power module by using thermal model based on Cauer and Foster network of RC components. Results of the simulation are then comparted with temperature measurement of an IGBT chip, acquired by measuring thermal sensitive parameters of semiconductor and temperature of baseplate acquired by thermistor. Result is model that will accurately represent temperature increase inside the structure of the module in short work cycles and also during the long working periods.en
dc.subject.translatedpower semiconductor chipen
dc.subject.translatedisolated gate bipolar transistoren
dc.subject.translatedpower semiconductor moduleen
dc.subject.translatedconduction lossen
dc.subject.translatedswitching lossen
dc.subject.translatedthermal conductivityen
dc.subject.translatedthermal resistanceen
dc.subject.translatedthermal capacityen
dc.subject.translatedfinite difference methoden
dc.subject.translatedfinite element methoden
dc.subject.translatedcaueren
dc.subject.translatedfosteren
dc.subject.translatedthermal modelen
dc.subject.translatedthermal sensitive parametersen
Vyskytuje se v kolekcích:Bakalářské práce / Bachelor´s works (KEV)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
Tepelne modely VPM.pdfPlný text práce3,23 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít
082240_vedouci.pdfPosudek vedoucího práce1,1 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít
082240_oponent.pdfPosudek oponenta práce872,9 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
082240_hodnoceni.pdfPrůběh obhajoby práce82,86 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/41735

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.