Název: Tepelné modely výkonových polovodičových modulů
Další názvy: Thermal models for power semiconductor modules
Autoři: Halvoník, Tomáš
Vedoucí práce/školitel: Ševčík Jakub, Ing.
Oponent: Votava Martin, Ing.
Datum vydání: 2020
Nakladatel: Západočeská univerzita v Plzni
Typ dokumentu: bakalářská práce
URI: http://hdl.handle.net/11025/41735
Klíčová slova: výkonová polovodičová součástka (vps);igbt;výkonový polovodičový modul;propustné ztráty;spínací ztráty;tepelná vodivost;tepelný odpor;tepelná kapacita;metoda konečných diferencí;metoda konečných elementů;cauer;foster;tepelný model;tepelně závislé parametry
Klíčová slova v dalším jazyce: power semiconductor chip;isolated gate bipolar transistor;power semiconductor module;conduction loss;switching loss;thermal conductivity;thermal resistance;thermal capacity;finite difference method;finite element method;cauer;foster;thermal model;thermal sensitive parameters
Abstrakt: Předkládaná bakalářská práce je zaměřena na vytvoření tepelných modelů výkonových polovodičových modulů pomocí Fosterovy a Cauerovy sítě složené z RC článků. Výsledky simulací jsou porovnávána a hodnocena naměřenými hodnotami teploty čipu IGBT, získané pomocí měření tepelně závislých parametrů polovodiče a teploty base plate (základní desky) získané pomocí termistoru. Výsledkem práce je získat model, který bude věrohodně reprezentovat nárůst teploty uvnitř struktury modulu, jak v rychlých přechodových dějích, tak při dlouhých pracovních cyklech
Abstrakt v dalším jazyce: Following bachelor work is focused on creating thermal model of semiconductor power module by using thermal model based on Cauer and Foster network of RC components. Results of the simulation are then comparted with temperature measurement of an IGBT chip, acquired by measuring thermal sensitive parameters of semiconductor and temperature of baseplate acquired by thermistor. Result is model that will accurately represent temperature increase inside the structure of the module in short work cycles and also during the long working periods.
Práva: Plný text práce je přístupný bez omezení.
Vyskytuje se v kolekcích:Bakalářské práce / Bachelor´s works (KEV)

Soubory připojené k záznamu:
Soubor Popis VelikostFormát 
Tepelne modely VPM.pdfPlný text práce3,23 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít
082240_vedouci.pdfPosudek vedoucího práce1,1 MBAdobe PDFZobrazit/otevřít
082240_oponent.pdfPosudek oponenta práce872,9 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
082240_hodnoceni.pdfPrůběh obhajoby práce82,86 kBAdobe PDFZobrazit/otevřít
Modely.rarVŠKP - příloha23,81 MBRARZobrazit/otevřít


Použijte tento identifikátor k citaci nebo jako odkaz na tento záznam: http://hdl.handle.net/11025/41735

Všechny záznamy v DSpace jsou chráněny autorskými právy, všechna práva vyhrazena.